Der Schwerpunkt der Arbeiten ist der Entwurf, die Realisierung und die Charakterisierung von Si-Interposern mit Cu-Durchkontaktierungen (Cu-TSV) und Mehrebenenverdrahtungen sowie die Entwicklung von TSV-Technologien für Wafer mit aktiven Schaltungen.

Umfangreiche Prozessentwicklungen und -optimierungen erfolgen auf den Gebieten Lithographie, Trockenätzen, Oxidabscheidung, Sputtern, galvanische Metallabscheidung und chemisch-mechanisches Polieren. Begleitet werden diese Arbeiten durch angepasste In-Line Messungen, Mikroanalytik und Simulation.

Ergebnis der Entwicklungsarbeiten ist die Bereitstellung eines produktionsnahen „Design-, Material,- Prozess- und Technologiebaukastens“ für kundenspezifische Applikationen auf dem Gebiet der „3D System Integration“.

Arbeitsgebiete:

• Design-, Test- und Integrationskonzepte
• Siliziumdurchkontaktierung (TSV) und Charakterisierung
• Mehrlagen-Umverdrahtung  (RDL)
• Waferbumping
• Interposer Design, Prototping, Test und Kleinserienherstellung
• In-line Messtechnik und Analytik
• Prototypentwicklung und Prozesstransfer