Im Fokus der Arbeiten dieser Gruppe stehen Technologien und Know-How für die "Nacktchip" (bare die) Verarbeitung mittels Die- und Drahtbonden von COB- und von Leistungsmodul-Aufbauten. Beim Drahtbonden stehen im Standarddrahtbereich (17 – 75 μm) das US-Wedge/Wedge-Bonden von AlSi1-Draht oder Al beschichteten Au-Drähten bei Raumtemperatur ebenso im Vordergrund wie das TS-Ball / Wedge-Bonden von Au- und Cu-Drähten. Kontaktiert werden dabei sämtliche am Markt verfügbaren Substrate wie Chips, Leiterplatten, Keramiken oder Leadframes. Die Verarbeitung von Dickdrähten bis 625 μm Durchmesser bzw. auch Dickdraht-Bändchen bis 2 mm mit rechteckigem Querschnitt erfolgt dabei bei Raumtemperatur mittels US-Bonden vorwiegend im Bereich der Leistungselektronik.

Neben unseren Forschungsaktivitäten haben wir ein umfangreiches Dienstleistungsangebot für unsere Industriepartner:

• Prozess- und Qualitätsaudit beim Kunden
• Kundenspezifische Bondtests auf verschiedensten Oberflächen (Leadframes, Leiterplatten, Hybride, etc.)
• Aufbau von Prototypen (z.B. in COB-Technologie)
• Machbarkeitsstudien für Technologien, Prozesse und Produkte
• Schadensanalysen und Zuverlässigkeitsuntersuchungen (auch unter kombinierten Belastungen, z.B. Feuchte/Vibration)
• Entwicklungsbegleitende Beratung
• 3-tägige Lehrgänge zum Die- und Drahtbonden mit Theorieteil und praktischen Übungen an den Bond- und Analysegeräten