Wafer Level System Integration

Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM

High Density Interconnect & Wafer Level Packaging & All Silicon System Integration Dresden ASSID

Wafer Level Packaging und Systemintegration auf Waferebene sind seit vielen Jahren Kernkompetenzen des Fraunhofer IZM. In Hinblick auf die Anforderungen zukünftiger mikroelektronischer Systeme, spielt die 3D-Integration für die „heterogene Systemintegration“, d.h. die Integration verschiedener multifunktionaler Komponenten in einem Package, eine besonders herausragende Rolle.

Die Abteilung „High Density Interconnect & Wafer Level Packaging/ All Silicon System Integration Dresden (HDI&WLP/ASSID)“ ist spezialisiert auf die Entwicklung und Anwendung von Technologien für die Systemintegration auf Waferebene. Dies beinhaltet sowohl Wafer Level Packaging, Chip Size Packaging, Dünnfilmtechnologien, als auch die 3D-Integration unter Anwendung von Silizium-Durchkontaktierungen (Through  Silicon Vias). Die Abteilung nimmt eine wichtige Funktion innerhalb der Gesamtstrategie des Fraunhofer IZM zur heterogenen Systemintegration ein und ist weltweit einer der führenden Partner für hochentwickelte Wafer Level-Systemintegrationstechnologien. 

Die Abteilung verfügt in Berlin und Dresden über zwei dem neusten Stand der Technik entsprechende Reinräume für die Prozessierung von Wafern (100mm - 300mm). Darüber hinaus kooperiert die Abteilung weltweit sehr eng mit Anlagenherstellern, Materialzulieferern und Endanwendern, um neueste Wafer Level Packaging-Lösungen zu entwickeln und einzuführen. Die Abteilung bietet Service vom Prototyping bis zur Serienproduktion in den Bereichen Dünnfilmsubstrate (MCM-D), Wafer Level CSP mit Umverdrahtungslagen (RDL), 3D-Integration und Wafer Level Bumping für Flip Chip-Kontaktierungen für industrielle Partner an.

All Silicon System Integration Dresden (ASSID)
Das Fraunhofer IZM-ASSID (All Silicon System Integration Dresden) wurde etabliert, um führende Wafer-Level-Packaging- und Systemintegrations-Technologien für die 3D-Intgration unter Anwendung von Silizium-Durchkontaktierungen (TSVs) zu entwickeln und in Produkte umzusetzen. Das Fraunhofer IZM-ASSID verfügt über eine komplette 300mm- Prozesslinie für die TSV-Formierung  und die Realisierung von 3D-Aufbauten. Das IZM-ASSID ist ausgestattet mit hochmodernen Anlagen, die dem letzten Stand der Technik entsprechen und die 100% kompatibel mit den Anforderungen für die industrielle Fertigung sind. Der Service des Fraunhofer IZM-ASSID umfasst sowohl kundenspezifische Entwicklungen, als auch das Prototyping und die Serienfertigung in geringen Stückzahlen als auch den technologischen Prozesstransfer. Einen Schwerpunkt der Arbeiten am IZM-ASSID umfasst die Cu-TSV-Implementierung (Via-Middle, Via-Last-Prozess), Silizium-Interposer für die heterogene Integration, Wafer-Level-Assembly und 3D-Aufbauten. Das Fraunhofer IZM-ASSID kooperiert eng mit bedeutendsten Anlagen- und Materialherstellern im Rahmen von Joint-Development-Projects, um die technischen Anforderung im Bereich der 3D-Integration für die nächste Produktgeneration zu erfüllen.

 

Fraunhofer IZM-ASSID
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