Prozess- und Produktentwicklung

Kupfersintern

Cu Sintern / Kupfersintern
© Fraunhofer IZM
Cu Sintern / Kupfersintern
© Fraunhofer IZM

Für hohe Anforderungen an Verbindungsschichten in der Mikroelektronik kommen insbesondere gesinterte Verbindungsschichten zum Einsatz. Seit vielen Jahren haben sich Silbersinterschichten etabliert und sind in zahlreichen industriellen Anwendungen. Im Bereich der Forschung und Entwicklung wird nun seit einiger Zeit auch an Kupfersinterschichten gearbeitet und es gibt Kupfersinterpasten, welche für den Einsatz in der Produktion geeignet sind.

Bei Sintern werden Metallpartikel in einer Paste durch Diffusionsvorgänge weit unterhalb der Schmelztemperatur miteinander verbunden, wodurch sich eine feste Schicht ausbildet die stoffschlüssig an die metallisierten Oberflächen der Fügepartner anbindet. Die gebildete Verbindung zeichnet sich durch hohe mechanische Festigkeit, sowie durch hohe thermische- und elektrische Leitfähigkeit aus.

Die Eckpunkte auf einem Blick:

  • Geeignet für: Leistungselektronik, Laser Dioden, High Power LED, uvm.
  • Viel höhere Einsatztemperatur als z.B. SAC-Lote
  • Größe Lebensdauer als Silbersinterschichten möglich (abhängig von genauer Prozessführung)
  • Kostengünstigere Optionen im Vergleich zum Silbersintern
  • Anwendbar auf Cu, Ag, Pd und Au Oberflächen
  • Prozesstemperaturen von 230 °C bis 300 °C
  • Drucklos oder druckunterstützte Prozesse (15 bis 30 MPa)
  • Prozesszeiten von wenigen Minuten möglich

Forschung und Entwicklung

Diese Verbindungstechnologie ist im hohen Maß abhängig von den Prozessbedingungen und dem eingesetzten Material

  • Pasten für den Einsatz ohne spezielle Atmosphären, wie Wasserstoff oder Ameisensäure
  • Optimierung der Sinterschichten bei großflächigen Verbindungsflächen, …
  • Einstellung bestimmter geometrischer Vorgaben

Methoden und Equipment

  • Auswahl geeigneter Sinterpaten, Metallisierungen und Komponenten
  • Pastendruck per Schablonen oder Siebdruck in industrieüblichen Pastendruckern
  • Sintern in verschieden Sinterpressen möglich
  • Verbindungsanalyse per: Querschliffpräparation, Ultraschallmikroskopie, Röntgenmikroskopie
  • Zuverlässigkeitsuntersuchung per aktivem und passiven Temperaturwechseltest, Temperaturschocktest und Monitoring des Risswachstums

Unser Portfolio beinhaltet die Entwicklung und Anwendung von metallischen Verbindungstechnologien für LEDs, Opto- und HF-Komponenten sowie für die 

Leistungselektronik

 

  • Löten (u.a. SAC, AuSn, SnBiX)
  • Ag- & Cu-Sintern
  • Transient-Liquid-Phase-Bonding
  • Ball/Wedge- & Wedge/Wedge-Bonden; Dickdraht- & Bändchenbonden z. B. mit Au, Cu oder AlSi1
  • Ultraschall- & Laserschweißen
  • Metallurgische Analyse & Bewertung von Verbindungen (z.B. Benetzung, Ausbreitung, Erstarrung, Phasenumwandlungen, Diffusion, Elektromigration oder Wachstum intermetallischer Phasen)
  • Qualitäts- & Zuverlässigkeitsprüfung von elektronischen Baugruppen (u.a. XPS, FIB, C-SAM, X-ray)

Arbeitsgruppe

Metallische Verbindungstechnologien

Unser Portfolio beinhaltet die Entwicklung und Anwendung von metallischen Verbindungstechnologien für LEDs, Opto- und HF-Komponenten sowie für die Leistungselektronik.