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SiCmodul

Eingebettetes Silizium-Carbid - high
© Fraunhofer IZM | Volker Mai
Eingebettetes Silizium-Carbid auf dem Weg zur Serienproduktion in der Elektromobilität

Durch die Verwendung von SiC-Halbleitern und einen hochtemperaturtauglichen Aufbau können Leistungselektroniksysteme in Zukunft deutlich höhere Schaltfrequenzen und Leistungsdichten erreichen. Auch ihre Störanfälligkeit kann reduziert werden. Voraussetzung hierfür ist eine robuste Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT), wie sie in SiCmodul entwickelt werden soll. Im Zentrum des Forschungsvorhabens steht eine skalierbare modulare Leistungselektronik (Antriebsumrichter) für Elektrofahrzeuge, die bei Temperaturen bis 200° C betrieben werden kann. Hierdurch kann der Umrichter unmittelbar am Motor platziert werden, was einen kompakteren und effizienteren Aufbau des Elektroantriebs ermöglicht.

Projektpartner

  • Robert Bosch GmbH
  • Conti Temic microelectronic GmbH
  • Schweizer Electronic AG
  • ISEA Institut für Stromrichter und elektrische Antriebe
  • AixControl GmbH, TLK-Thermo GmbH
  • Daimler AG (assoziert)

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