Miniaturized Zero Dead Time High Efficiency Driver for Si, SiC and GaN Applications
© Fraunhofer IZM

Forschungsschwerpunkte

Innovative Treiber vom Fraunhofer IZM

Miniaturisierte und hocheffiziente Null-Totzeit-Treiber für Si-, SiC- und GaN-Anwendungen

© Fraunhofer IZM
Miniaturized Zero Dead Time High Efficiency Driver for Si, SiC and GaN Applications
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Das vom Fraunhofer IZM vorgestellte Konzept zeigt neue Ansätze für schnellschaltende Leistungshalbleiter mit geringeren Schaltverlusten durch die Vermeidung negativer Effekte durch Freilaufdioden.

Die erste Phase des Konzepts reduziert die Leistungsaufnahme des Treibers durch Wiedergewinnung der im Gate verbleibenden Energie. Der hierfür nötige Wechsel von resistiver zu induktiver Stromregelung hat sich als gangbarer Ansatz erwiesen.

Die verringerte Leistungsaufnahme ermöglicht die zweite Phase des Konzepts. Durch Energieübertragung auf die High-Side Über einen hochfrequenten (70 MHz) 10 pF Kondensator kann der Standby-Strom kleinstmöglich gehalten werden.

Als zusätzliche Funktionalität wurde die Vermeidung von Totzeiten durch Integration eines Transformators zwischen den high- und low-side Gate-Pfaden. Dies zeitigte eine merkliche Reduktion von Schaltverlusten sowie eine substanzielle Vermeidung von Ringing-Artifakten.

 

Projekt Partner & Fördermittelgeber

ECPE European Center for Power Electronics e.V. 

 

Publication

Embedded Very Fast Switching Module for SiC Power MOSFETs

PCIM Europe 2015, 19 – 21 May 2015, Nuremberg, Germany
ISBN 978-3-8007-3924-0