Schadensanalyse COB
![Pore und Riss in der Glob Top Verkapselung von COB-Modulen](/de/abteilungen/system_integrationinterconnectiontechnologies/leistungsangebot/test_qualifizierungzuverlaessigkeit/schadensanalyse_cob/jcr:content/contentPar/sectioncomponent/sectionParsys/textblockwithpics/imageComponent1/image.img.jpg/1448520356078/160-Pore-Schadensanalyse-COB.jpg)
Pore und Riss in der Glob Top Verkapselung von COB-Modulen
![Chip- und Substratseitige Heelrisse](/de/abteilungen/system_integrationinterconnectiontechnologies/leistungsangebot/test_qualifizierungzuverlaessigkeit/schadensanalyse_cob/jcr:content/contentPar/sectioncomponent/sectionParsys/textblockwithpics/imageComponent2/image.img.jpg/1448520356079/160-Risse-Schadensanalyse-COB.jpg)
Chip- und Substratseitige Heelrisse
Typische Vorgehensweisen insbesondere bei die- und drahtgebondeten sowie verkapselten Halbleiter-COB-Aufbauten sind dabei:
- Metallographische Schliffpräparation
- Entkapselung von Vergussmaterialien durch Plasma- oder HNO3-Ätzen
- Licht- oder rasterelektronenmikroskopische Begutachtung
Einige Ergebnisse derartiger Techniken sind den folgenden Abbildungen zu entnehmen. Selbstverständlich stehen diverse weitere Analysetechniken und Möglichkeiten zur Charakterisierung von Material- und Oberflächeneigenschaften zur Verfügung.