Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZMSchadensanalyse COB
Pore und Riss in der Glob Top Verkapselung von COB-Modulen
Chip- und Substratseitige Heelrisse
Typische Vorgehensweisen insbesondere bei die- und drahtgebondeten sowie verkapselten Halbleiter-COB-Aufbauten sind dabei:
- Metallographische Schliffpräparation
- Entkapselung von Vergussmaterialien durch Plasma- oder HNO3-Ätzen
- Licht- oder rasterelektronenmikroskopische Begutachtung
Einige Ergebnisse derartiger Techniken sind den folgenden Abbildungen zu entnehmen. Selbstverständlich stehen diverse weitere Analysetechniken und Möglichkeiten zur Charakterisierung von Material- und Oberflächeneigenschaften zur Verfügung.