Test, Qualifizierung, Zuverlässigkeit

Schadensanalyse COB

Pore und Riss in der Glob Top Verkapselung von COB-Modulen

Pore und Riss in der Glob Top Verkapselung von COB-Modulen

Chip- und Substratseitige Heelrisse

Chip- und Substratseitige Heelrisse

Typische Vorgehensweisen insbesondere bei die- und drahtgebondeten sowie verkapselten Halbleiter-COB-Aufbauten sind dabei:

  • Metallographische Schliffpräparation
  • Entkapselung von Vergussmaterialien durch Plasma- oder HNO3-Ätzen
  • Licht- oder rasterelektronenmikroskopische Begutachtung

Einige Ergebnisse derartiger Techniken sind den folgenden Abbildungen zu entnehmen. Selbstverständlich stehen diverse weitere Analysetechniken und Möglichkeiten zur Charakterisierung von Material- und Oberflächeneigenschaften zur Verfügung.