2.5 D Interposer

Interposer mit vertikalen Durchkontaktierungen dienen als Träger oder Zwischenstück zwischen Schaltkreisen mit höchsten I/O-Dichten und organischen Trägern und werden mit TSV-middle- und TSV-last-Prozessen realisiert.

Silizium- und Glas-Interposer bieten neue Möglichkeiten, um Devices z.B. ASICs mit hoher Pin-Anzahl, Speicher und MEMS in ein Device zu integrieren und so ein 3D System-in-Package (SP) zu realisieren. Je nach Produktanforderungen können kundenspezifische SiPs mit eine großen Flexibilität bei der lateralen Größe, bei den TSV/TGV-Geometrien und –Dichten sowie bei der Anzahl der Verbindungslagen und der Art der IO-Anschlusspads für die Komponenten und das Second-level-Assembly umgesetzt werden.

Aktuell TSV-Generationen umfassen auch integrierte aktive Devices und werden bezüglich Verlustleistung und einer hohe Datenübertragung optimiert.

Glas-Interposer haben insbesondere Vorteile in spezifischen Silizium- und Glas-Packages und in großformatigen Substratapplikationen.

• Interposer mit high-density Cu-TSVs
• High-density multi-layer copper wiring: > 2 μm line/space, 4-layer frontside RDL, up to 3-layer backside RDL
• Integration von passive Devices (R, L, C)
• Embedding von aktiven und passive Devices
• Interconnects für das 3D-Stacking von Devices/Substraten
• Thermisches Management

• Kundenspezifisches Design und Prototypenrealisierung
  
• Herstellung von high-density Silizium-Interposern mit TSVs und Mehrlagenumverdrahtung
• Typische Interposer-Features:
  • TSV -Durchmesser: 10-20 μm
  • TSV-Tiefe: > 100 μm