Die Expert-Sessions »Powering the Future – Innovative Technologies for Power Electronics Modules with SiC and GaN Semiconductors« des Fraunhofer IZM fanden von Januar bis März 2024 statt und thematisierten die Potenziale von Wide-Bandgap (WBG)-Halbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) für die Leistungselektronik. Diese Materialien ermöglichen durch höhere Schaltgeschwindigkeiten sowie höhere Spannungs- und Temperaturbeständigkeit eine signifikante Miniaturisierung und Effizienzsteigerung von Systemen, was insbesondere für Anwendungen in der Elektromobilität und bei erneuerbaren Energien von Bedeutung ist.

In fünf Online-Sessions gaben Expert*innen des Fraunhofer IZM praxisnahe Einblicke in aktuelle Entwicklungen und Herausforderungen der Leistungselektronik, beleuchteten neueste Ansätze und Technologien und gingen detailliert auf Anwendungsszenarien sowie die Chancen und Herausforderungen bei der maßgeschneiderten Entwicklung von Leistungselektronikmodulen ein.