Messe Nürnberg  /  05. Juni 2018  -  07. Juni 2018

IZM schafft Geschwindigkeitsbeschränkung für Schalten in der Leistungselektronik ab!

https://www.mesago.de/de/PCIM/

Halle 7, Stand 349

Auch 2018 ist das Fraunhofer IZM wieder auf der PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe vertreten. Die weltweit führende Fachmesse zu den Themen Leistungselektronik, intelligente Antriebstechnik, erneuerbare Energien sowie Energiemanagement findet vom 5. - 7. Juni 2018 zeitgleich mit der SMT Hybrid Packaging in Nürnberg statt.

Auf der PCIM können Sie das komplette Dienstleistungsspektrum des Fraunhofer IZM im Bereich der Leistungselektronik erleben: vom Systemdesign über Aufbau- und Verbindungstechnik für leistungselektronische Systeme und Zuverlässigkeitsaspekte bis hin zu Kühlkonzepten. Ein besonderes Highlight sind vier neue Powermodule, die optimierte parasitäre, elektromagnetische Eigenschaften aufweisen, sowie über eine hohe Temperaturstabilität und einen hohen Integrationsgrad verfügen.

Wir freuen uns auf Ihren Besuch in Halle 7, Stand 349!

Special Session (Oral): Materials for Packaging and Thermal Management

Dipl.-Ing. Karl-Friedrich Becker

Dienstag, 05.06.2018, 11:00 - 12:40 Uhr

High Temperature Encapsulation for Smart Power Devices

Research is presented, that provides a detailed description of the high temperature suitability of encapsulants for power electronics encapsulation ? additionally an extended test methodology is described to facilitate future material evaluation for HT or harsh environment use of polymeric materials as encapsulants or base materials is described.

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Poster Session – GaN Devices and Applications

Dr.-Ing. Charles-Alix Manier

Dienstag, 05.06.2018, 15:15 - 17:30 Uhr

Wafer Level Embedding Technology for Packaging of Planar GaN Half-Bridge Module in High Power Density Conversion Applications

A new fabrication process is presented for packaging of GaN bare devices in form of silicon-based packages using wafer level back-end processes. Compact planar half-bridge modules were fabricated at 200 mm wafer scale with 650 V rated single GaN bare die. The package demonstrates voltage breakdown up to 650 V with leakage current as low as 250 nA and thermal resistance RthJC of around 0.4 K/W. Implementation in power solutions has been first evaluated and results will be presented.

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