Wafer Level System Integration

Forschungsschwerpunke der Abteilung WLSI:  

2.5/3D-Technologien

• TSV Integration
• Silicon interposer TSV first
  • TSV via middle
  • TSV via last
  • Device stack

• TGV Integration
  • TGV formation for glass interposer
• 2.5/3D Interposer
  
• Backside Interconnects
• 3D Stack Formation

High-Density Redistribution

• High Density Redistribution
• Mehrlagenumverdrahtung
  
• Polymere für die hochdichte Interconnects
  
• Integration von passiven Komponenten
  
• Glassubstrate und -schichten
• Fan-out Wafer-Level Packaging
  

Wafer-Bumping

• Wafer Bumping mittels Electroplating
• Solder & pillar bumps
• Fine-pitch bumping für Pixeldetektoren
• Herstellung von nanoprösen Goldstrukturen
  
• Mechanisches Gold-stud-Bumping
• Single-Chip-Bumping
• Electrochemische Deposition

Wafer-Bonden

• Permanentes Wafer-zu-Wafer-Bonden
• Temporäres Waferbonding für das Handling von dünnen Wafern
• Wafer-Level-Capping

Dünnen/Vereinzeln/Sägen

• Back grinding tape lamination
• Wafer backgrinding
• Polishing
• mechanical blade dicing
• laser grooving
• laser stealth dicing
• wafer edge trimming

High-Density Assembly

• Fine pitch assembly für Pixeldetektoren
• Verbindungsmetallurgie und Prozesse
• Thermo-Compression-Bonden
• Chip-Stacking
• Fine-pitch flip chip (FC) assembly & die bonding
• Wafer-level solder ball attach (100 – 500 μm)
• Evaluierung von Niedrig-Temperatur Assemblierungstechnologien
• Evaluierung von flussmittelfreien Lötverbindungen mit Selbstausrichtungsfähigkeit
  
• Zuverlässigkeitsuntersuchungen von Flip-Chip-Interconnects

Fehleranalyse & Zuverlässigkeitsuntersuchungen

• Metrology: Bump-Höhen / TSV-Tiefenmessung, Defektanalyse, Topologie, Schichtdicken, Waferdicke & bow/ warp (VIS), Waferdicke (infrarot), Chipwölbung-Messung, physikalische Fehleranalyse, Präparationstechniken 3D Stack
• FIB / REM imaging

Sensor-Entwicklung

• Sensordesign
• Zuverlässigkeit und Lifetime-Optimierung
• Standard- und kundenspezifisches Packaging mit integrierter Sensor-Datenprozessierung wie z.B. TO8,  Packages mit Medienseparierung, Molding
• Charakterisierung von Drucksensoren (10 m-100 Bar), Gas- und Beschleunigungsensoren (up to 40 g)
• Planare Technologie (SiO, SIN Abscheidung, Sputtern)
• Überblick Leistungen